تصنع الصين أصغر ترانزستور في العالم ببوابة 0.34 نانومتر ، وهو الحد الأقصى للمواد الحديثة

تمكنت مجموعة علمية من الإمبراطورية السماوية من ابتكار تصميم ترانزستور فريد. أتاح حل التصميم الخاص بهم الحصول على أصغر ترانزستور في العالم ، بطول بوابة يبلغ 0.34 نانومتر.

لم يعد من الممكن زيادة تقليل حجم المصراع باستخدام ما يسمى بالعمليات التكنولوجية التقليدية. بعد كل شيء ، طول البوابة الناتج يساوي عرض ذرة كربون واحدة.

على الرغم من أن صفائح الجرافين قد تكون كبيرة في الطول والعرض ، إلا أن ارتفاعها يماثل ارتفاع ذرة كربون واحدة.

كيف تمكن المهندسون من تحقيق هذه النتيجة

أود أن أقول على الفور إن تطوير المهندسين الصينيين في الوقت الحالي هو تجريبي ، ولا يمكن حتى الآن التباهي بأي معايير فنية بارزة.

لكن على الرغم من ذلك ، أظهر المهندسون إمكانية وجود مثل هذا المفهوم ، بالإضافة إلى قدرته على إعادة إنتاجه باستخدام العمليات التكنولوجية التقليدية.

لذلك أطلق العلماء على الجهاز الناتج اسم "ترانزستور الجدار الجانبي". نعم ، إن فكرة الاتجاه الرأسي لقناة الترانزستور ليست جديدة ، وقد تم تنفيذها من قبل Samsung و IBM. لكن مهندسي المملكة الوسطى تمكنوا حقًا من مفاجأة الجميع.

الشيء هو أن الغالق في الجهاز الناتج عبارة عن قطع من طبقة ذرية واحدة فقط من الجرافين ، يتوافق سمكها مع سمك ذرة كربون واحدة ويساوي 0.34 نانومتر.

تقنية الحصول على أصغر ترانزستور في العالم

لذلك ، من أجل الحصول على مثل هذا الترانزستور ، اتخذ العلماء ركيزة عادية من السيليكون كقاعدة. بعد ذلك ، على هذا الركيزة ، تم صنع زوج من الدرجات من سبيكة من التيتانيوم والبلاديوم. ووضعت ورقة من الجرافين في المستوى الأعلى. وكما أكد العلماء ، مع هذا الوضع ، فإن الدقة الخاصة ليست ضرورية.

بعد ذلك ، تم وضع طبقة من الألومنيوم مؤكسدة مسبقًا في الهواء على لوح من الجرافين (يعمل الأكسيد كعازل للهيكل).

بمجرد وضع الألومنيوم في مكانه ، تبدأ عملية النقش المعتادة ، وتكشف حافة الجرافين وكذلك قطع تراكب الألومنيوم.

هذه هي الطريقة التي يتم بها الحصول على غالق الجرافين الذي يبلغ 0.34 نانومتر فقط ، بينما يتم فتح شريحة من الألومنيوم فوقه بقليل ، وهو قادر بالفعل على تكوين دائرة كهربائية ، ولكن ليس بشكل مباشر.

في الخطوة التالية ، يتم وضع أكسيد الهافنيوم ، وهو عازل ، على الدرجات والجزء الجانبي ، مثل لا يسمح الوقت للبوابة بتشكيل اتصال كهربائي مع باقي الترانزستور ، وكذلك مع القناة الترانزستور.

وبالفعل على طبقة الهافنيوم ، يتم وضع ثاني أكسيد الموليبدينوم شبه الموصّل ، والذي يلعب دور قناة الترانزستور ، التي يقع التحكم فيها على البوابة على شكل شريحة من الجرافين.

وهكذا ، حصل العلماء على هيكل ، سمكه يساوي ذرتين فقط وبوابة من ذرة واحدة. في هذه الحالة ، يكون استنزاف ومصدر هذا الترانزستور عبارة عن ملامسات معدنية ترسبت على ثاني أكسيد الموليبدينوم.

بهذه الطريقة تمكنا من الحصول على أصغر ترانزستور في العالم ببوابة تبلغ 0.34 نانومتر.

إذا كنت تحب المادة ، فلا تنس تقييمها ، وكذلك الاشتراك في القناة. شكرا لكم على اهتمامكم!